Μονάδα διόδου λέιζερ υψηλής ισχύος σειράς C 878,6 nm – Προτεινόμενη εικόνα 100 W

Μονάδα διόδου λέιζερ υψηλής ισχύος σειράς C 878,6 nm – 100 W

Χαρακτηριστικά

●Υψηλή ισχύς εξόδου 100 W

●Πολυτροπική οπτική ίνα 200μm/0,22NA

●Μήκος κύματος κέντρου 878,6±0,5 nm

Εφαρμογές

●Πηγή άντλησης λέιζερ

●Άμεση εφαρμογή λέιζερ

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τυπική απόδοση συσκευής (25℃)

	Ελάχ	Τυπικός	Μέγιστη	Μονάδα
Οπτικός
Ισχύς εξόδου CW	-	100	-	W
Κεντρικό μήκος κύματος	-	878,6±0,5	-	nm
Φασματικό πλάτος (90% της ισχύος)	-	<0,5	-	nm
Μετατόπιση μήκους κύματος με θερμοκρασία	-	0,02	-	nm/℃
Ηλεκτρικός
Κατώφλι	-	1.5	-	A
Λειτουργικό Ρεύμα	-	12.7	14.0	A
Τάση λειτουργίας	-	15.8	18.0	V
Αποδοτικότητα κλίσης	-	8.8	-	W / A
Αποδοτικότητα Μετατροπής Ισχύος	43	48	-	%
Ινα*
Διάμετρος πυρήνα ινών	-	200/400	-	μm
Αριθμητικό διάφραγμα	-	0,22	-	-
Μήκος ινών	-	1-5	-	m
Σύνδεσμος ινών	-	-	-	-

* Προσαρμοσμένη ίνα και σύνδεσμος διαθέσιμα.

Απόλυτες Βαθμολογίες

	Ελάχ	Μέγιστη	Μονάδα
Θερμοκρασία λειτουργίας	15	35	℃
Λειτουργική Σχετική Υγρασία	-	75	%
Λειτουργία ψύξης	-	Υδροψύξη (25℃)	-
Θερμοκρασία αποθήκευσης	-20	80	℃
Αποθήκευση Σχετική Υγρασία	-	90	%
Θερμοκρασία συγκόλλησης μολύβδου (10 s max)	-	250	℃

Αυτή η οδηγία είναι μόνο για αναφορά.Η Han's TCS βελτιώνει συνεχώς τα προϊόντα της, επομένως ενδέχεται να αλλάξει τις προδιαγραφές χωρίς ειδοποίηση προς τους πελάτες. Για λεπτομέρειες, επικοινωνήστε με τις πωλήσεις της Han's TCS.@2022 Han's TianCheng Semiconductor Co., Ltd. Με την επιφύλαξη παντός δικαιώματος.